美光投资96亿美元在日本建HBM工厂的计划

美光计划在日本投资96亿美元，建设HBM（Heterogeneous Base Memory）工厂，以扩大其在全球的半导体业务。这一举措将有助于提高美光在全球市场的竞争力，并进一步推动日本半导体产业的发展。

电脑知识网12月1日消息，知情人士表示，美光科技（Micron）计划投资约1.5万亿日元（约合96亿美元），在日本广岛现有厂区内建设一座新工厂，专门生产用于人工智能的高带宽内存（HBM）芯片。

该工厂预计于明年5月动工，2028年起开始出货。此举旨在推动生产基地多元化，避免先进芯片制造过度集中于台湾地区。

为振兴本土半导体产业，日本经济产业省将向该项目提供最高5000亿日元的补贴，希望通过此类扶持政策吸引美光、台积电等国际芯片制造商加大在日投资。

美光此前的主要HBM产能集中于美国和中国台湾。随着人工智能与数据中心投资快速增长，HBM需求持续攀升，美光自2019年以来首次启动新厂建设，并有意通过扩大在日本的生产布局，提升供应链韧性，同时增强与市场领先者SK海力士的竞争力。

今年5月，美光已在广岛工厂引进用于先进制程的极紫外光（EUV）设备，为未来生产下一代高带宽内存HBM4奠定了技术基础。