台积电1.4nm工艺A14，瞄准2028年，十年性能飞跃提升80%

台积电计划在2028年推出采用1.4nm工艺的A14芯片，该技术将带来十年内性能提升80%的巨大飞跃。这一技术进步将进一步推动半导体行业的发展，为电子设备带来更快的处理速度和更低的能耗。台积电作为全球领先的半导体制造企业，其持续的技术创新和研发投入，将有助于推动全球半导体产业的持续发展。

电脑知识网11月30日消息，作为当前的半导体晶圆代工一哥，台积电的发展方向无疑是最受关注的，未来的工艺逐渐逼近1nm节点了，还能不能发展下去，来看台积电最新公布的路线图。

在开放创新平台生态系统论坛上，台积电公布了未来几年的逻辑工艺路线图，以今年2025为中心，当前量产的FinFET技术路线的工艺是3nm的，包括有N3、N3E、N3P、N3X及N3C。

2nm节点开始使用Nanosheet晶体管，也就是GAA环绕栅极晶体管的具体实现，今年量产的是N2，率先确认用上这个工艺的反而是AMD的Zen6架构EPYC处理器，明年才上市。

后续还会有N2P及N2X工艺，但在这中间会有个A16 SPR工艺，SPR代表的是台积电的背面供电技术Super Power Rail，跟Intel的PowerVia据说有很大不同，技术上更先进，不过具体效果等量产了才能准确对比。

A16 SPR其实就是最初规划的2nm工艺，但期间有种种调整，台积电把GAA与背部供电技术错开量产，而不是像三星、Intel那样在同一代工艺上量产。

再之后的A14节点会是一个重大更新，GAA与背部供电技术于一体，性能及能效更好看一些。

台积电公布这份路线图是为了证明他们有能力在未来几年中保持每年更新工艺，且每代工艺的性能及能效都会有差不多的提升，这是在给客户信心。

以2018年的7nm节点N7为基准，每代工艺在同样的功耗下性能提升都差不多，在15-18%之间，而同性能下功耗也会大幅下降，N7到N3每代都降低了1/3以上，不过N3到未来的A14工艺每代降低1/4左右。

对比N7，台积电提到A14工艺同功耗下提升83%的性能，能效则是3.2倍提升。

也就是说从2018到2028年的10年中，芯片工艺的性能提升大约是80%，这个数据怎么说呢，如果还想对比摩尔定律，那显然是很让人失望的，不过业界也很清楚，28nm节点之后摩尔定律就逐渐失效了，能有80%的性能提升已经很不容易了。

2018年N7代表处理器是苹果A12，频率最高也就2.5GHz，晶体管数量69亿，当前的A18 Pro处理器能做到4GHz频率，200亿晶体管，距离未来的A14节点还有两三代工艺，5GHz频率、300亿晶体管规模应该是可以期待一下的。