铠侠与闪迪携手计划在美国建设NAND晶圆厂

铠侠与闪迪计划在美国合作建设NAND晶圆厂，以加强双方在存储器领域的合作与竞争力。此举旨在推动美国半导体产业的发展，并有望为当地经济带来积极影响。双方将共同投资建设该工厂，并有望在不久的将来实现量产。这一合作将有助于提升NAND闪存技术的研发和生产能力，为全球存储器市场带来更多创新和竞争机会。

电脑知识网11月28日消息，据行业消息透露，存储巨头铠侠（Kioxia）与闪迪（SanDisk）正评估在美国新建NAND闪存制造厂的可能性，此举被视为响应美日两国政府强化半导体供应链本土化的战略要求。

目前铠侠-闪迪联盟的NAND晶圆厂均位于日本境内（四日市与北上市），而全球近90%的NAND产能集中于东亚地区。

值得注意的是，三星电子、SK海力士及美光三大存储原厂此前公布的美国建厂计划均未涉及NAND业务，使得此次潜在动向更具战略意义。

然而在美建厂面临显著风险，台积电亚利桑那州项目便是前车之鉴：2020年5月宣布的凤凰城工厂直至2021年4月方正式动工，实际量产时间较原计划大幅延后，凸显美国本土半导体制造面临的工程管理、人才供给等系统性挑战。

行业分析指出，即便铠侠与闪迪最终推进美国建厂计划，从选址决策到设备调试至少需3-5年周期。这意味着未来两至三年内，全球NAND闪存供应格局将维持现有态势，新建工厂短期内难以对市场产生实质性影响。