三星电子，HBM技术路线整合与DRAM开发体系的核心团队融合

三星电子将HBM（高带宽内存）技术路线整合，并将核心团队并入DRAM（动态随机存取存储器）开发体系，以加速内存技术的研发和应用。这一举措旨在提高公司内存产品的性能和效率，为未来的技术发展奠定基础。此举将有助于三星电子在内存技术领域保持领先地位。

电脑知识网11月28日消息，据媒体报道，三星电子近期对其高带宽存储器（HBM）开发团队进行了组织调整，撤销原隶属于半导体业务DS部门下的HBM开发团队，相关人员整体并入DRAM开发室。这一变动引发市场对三星HBM业务推进节奏与内部协同效率的关注。

在调整安排上，原HBM团队成员将转入DRAM开发室下属的设计团队，继续负责下一代HBM产品与技术研发。此前主导HBM团队的孙永洙被任命为设计团队负责人，统筹相关项目推进。

接下来，团队将聚焦HBM4、HBM4E等新产品的设计优化与工艺验证。三星预计本周完成组织调整，并于下月初召开全球战略会议，审议明年业务规划。

业务方面，三星近年来持续加大HBM领域投入，已与英伟达、AMD、OpenAI、博通等多家科技企业建立合作。公司以HBM3与HBM3E的量产经验为基础，持续提升堆叠封装、带宽、能效及可靠性等核心能力。韩国媒体分析认为，将HBM开发整合进DRAM体系，有助于在制程演进、设计验证与量产导入环节形成更紧密的协同。

从市场竞争来看，三星在今年第二季度全球HBM市场中的排名曾下滑至第三，面临阶段性竞争压力。公司预计，随着HBM4供应规模逐步扩大，其市场份额有望自明年起回升。

据TrendForce预测，到2026年，三星在全球HBM市场的占有率有望突破30%，这也为其强化先进存储布局提供了信心支撑。

行业观察人士指出，HBM作为支撑人工智能训练、推理及高性能计算的关键存储部件，已成为存储厂商竞相布局的战略要地。三星通过将HBM团队整合至DRAM开发体系，有望提升资源统筹与技术迭代效率，增强在高端存储市场的竞争力。