三星NAND闪存技术新突破，功耗降低高达96%

三星NAND闪存技术取得新突破，功耗大幅降低达96%，这一技术进步将有助于提高存储设备的能效表现，为电子设备提供更高效、更持久的运行能力。这一成果的取得将进一步推动存储技术的创新发展，为未来电子产品提供更强大的存储支持。

电脑知识网11月27日消息，据媒体报道，当地时间27日，三星电子旗下SAIT（原三星先进技术研究院）宣布，已在《自然》上发表一项关于新型NAND Flash结构的研究成果。

据这篇名为《用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管》的论文介绍，该研究通过创新融合铁电材料与氧化物半导体，全球首次明确了可将NAND闪存功耗较现有技术降低 96% 的核心机制。

值得一提的是，这项新研究有望提升包括人工智能数据中心和移动设备在内的各个领域的能效。

据了解，NAND闪存是一种非易失性存储介质，即使断电亦可长期保存大量数据，其工作原理是通过向存储单元注入电子实现数据写入。

为提升存储密度，业界普遍采用堆叠更多存储层的方式构建芯片，但这同时也显著增加了数据读写过程中的能耗，尤其在大规模数据中心场景中，功耗问题已成为亟待解决的关键瓶颈。

而三星研究团队上述成果攻克了这一难题。